时间：2026-08-10 04:51:04 来源：静如处女网

三星电子正大力宣传其最先进内存硬件在性能和能效部分的星公新D先闪星电提高，以期在竞争中超越SK海力士和美光科技。布全当地时间8月4日，内存三星电子在FMS年度存储行业峰会上，图力正式宣布了zHBM和zNAND-O两款概念产品，术领以及业界首先款采取晶圆键合技术、域取硬盘堆叠层数超过400层的得领订阅V10 BV-NAND。其中，固态zHBM将高带宽内存直接垂直堆叠于AI加高效器芯片之上，网易性能预方式约为下一代HBM5的星公新D先闪星电8倍。上述技术发布正值内存行业竞争白热化之际。布全华尔街见闻提及，内存SK海力士携手闪迪在大会上，图力联合发布高带宽闪存（HBF）全球首先个原则原则。术领HBF技术定位于高带宽内存（HBM）与固态硬盘（SSD）之间的域取硬盘新型存储层级，旨在同时处理AI推理场景下的带宽瓶颈与容量扩展困难。zHBM，颠覆传统封装架构zHBM是此次发布中最受市场关注的技术愿景。在现有设方式中，HBM内存堆叠与AI芯片通过硅中介层并排集成于同一封装内，业界常见称之为2.5D封装。AMD、英伟达等公司均采取这一方式划用于高端AI采取。三星的zHBM则打破了这一范式，将HBM直接垂直堆叠于AI加高效器芯片之上。三星表示，通过大幅缩短数据在AI处理器与内存之间的传输距离，zHBM可给予更高带宽和更优异的能效，顺应大规模AI训练与推理对超快捷数据处理的需。根据三星披露的规格，结合下一代晶圆键合技术，zHBM的内存密度可达HBM5的10倍以上，能效提高3倍，热阻减小逾50%。该技术还协助客制化IP集成，可在内存与AI加高效器之间的中间层嵌入定制设方式，进一步扩展内存容量并提高加高效器性能。三星将该技术的量产时间预期设定在2029年前后，目前尚未就HBM5或zHBM给出清楚的量产时间表。与此同时，三星表示已于今年2月率先实现基于1c DRAM工艺及4纳米基底裸片的HBM4量产，并于5月首先批向全球客户发货HBM4E样品。对标HBF，照章性边缘AI的高带宽闪存方式划zNAND-O三星同步推出了zNAND-O，这是该公司基于V-NAND技术构建的下一代高性能NAND处理方式划，目的量产时间为2028年，将给予四层和八层两种版本。从技术馗来看，zNAND-O与SK海力士和闪迪之前开发的高带宽闪存（HBF）概念相近，同样采取TSV和UCIe接口。但据三星官员验明正身，两者的采取定位存在本质区别：HBF的设方式初衷是在服务器端填补AI加高效器旁侧的内存分层空缺，而zNAND-O的定位是在端侧设备中存储大型模型，以便与NPU交互。三星表示，zNAND-O凭借高空间效率、改进的I/O性能和低延迟特性，专为协助实时、数据密集型AI采取的边缘AI环境而改进。V10 BV-NAND，业界首先款400层以上晶圆键合闪存三星此次还发布了V10 BV-NAND，这是其历史上首先款采取晶圆键合（Bonding V-NAND）架构的3D NAND产品。距三星于2013年Flash Memory Summit上发布业界首先款V-NAND技术，时隔13年后，这一里程碑式更新正式亮相。V10 BV-NAND堆叠层数超过400层，通过晶圆键合技术垂直堆叠存储单元，存储密度较上一代V9提高约58%。同时，该产品在读取、写入和I/O性能部分均优于前代，旨在为未来AI系统和采取给予高性能、大容量的NAND支撑。全栈AI内存布局，从HBM到PIM与企业级存储除上述前沿概念产品外，三星还在本次展会上系统性展示了其现有AI内存与存储产品组合及路线图，涵盖HBM4E、HBM5、LPDDR5X-PIM以及PM1763等产品线。其中，LPDDR5X-PIM是业界首先款搭载存算一体（Processing-in-Memory）技术的LPDDR内存，协助在内存内部直接实施数据处理，可同时提高数据搬运效率与功耗谝。企业级存储部分，三星展示了照章性AI数据中心日益增首先存储需的PM1763和BM1773处理方式划。作为全球唯一一家在内存、晶圆代工和先进封装领域均具有行业领先能力的整合元件制造商（IDM），三星将上述产品定位于一站式端到端AI基础设施处理方式划，意图协助客户缩短开发周期，加高效区别化AI半导体产品的市场导入。

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